正離子分別填充在由負(fù)離子構(gòu)成的立方體空隙、八面體空隙和四面體空隙中，立方體空隙最大(可容納半徑為0.732r-的正離子)，八面體空隙居中(可容納半徑為0.414r-的正離子)，四面體空隙最小(可容納半徑為0.225r-的正離子)。較大的正離子應(yīng)填充在較大的空隙之中，即正離子半徑(r )與負(fù)離子半徑(r-)比值較大的正離子填充在較大的空隙之中。為了使離子型晶體更穩(wěn)定，需正、負(fù)離子彼此接觸，而負(fù)離子之間不接觸。即當(dāng)r 分別大于0.732r-、0.414r-和0.225r-時，分別填充在立方體空隙、八面體空隙和四面體空隙之中時，就能滿足上述要求，使結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。由此可得半徑比規(guī)則：r r-＞0.732時，采用CsCl構(gòu)型，0.414＜r r-＜0.732時為NaCl構(gòu)型，0.225＜r r-＜0.414是ZnS構(gòu)型。
AB型離子型晶體特點與半徑比規(guī)則
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r /r- |
構(gòu)型 |
負(fù)離子堆積方式 |
正離子填充空隙 |
正、負(fù)離子配位數(shù) |
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0.732～1 |
CsCl型 |
簡單立方堆積 |
立方體 |
8∶8 |
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0.414～0.732 |
NaCl型 |
(面心)立方密堆積 |
八面體 |
6∶6 |
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0.225～0.414 |
ZnS型 |
立方(或六方)密堆積 |
四面體 |
4∶4 |