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一. 沉淀重量法的基本步驟
例：沉淀形式與稱量形式相同
沉淀形式與稱量形式不同：
二. 沉淀重量法對沉淀的要求
（一）對沉淀形式的要求
1. S 要小：溶解損失小于稱量誤差；
2. 沉淀要純凈；
3. 沉淀易于過濾、洗滌（盡可能生成晶型 ¯ ）。
（二）對稱量形式的要求
1. 組成固定：符合一定化學(xué)式
2. 有足夠的化學(xué)穩(wěn)定性；
3. 摩爾質(zhì)量盡可能大—— 操作損失引起被測組分損失小
在利用沉淀反應(yīng)進行重量分析時，被測組分越完全，分析結(jié)果誤差則可能越小。但絕對不溶的物質(zhì)是不存在的。通常，被測組分的難溶化合物的溶解度都很難滿
足分析允許誤差的要求（沉淀的損失量< 0.0001-0.0002g)。
通常化合物在1000ml 水中的溶解度：
SBaSO4=0.0022g SAgCl=0.0019g SMgNH4PO4=0.0086g
如果溶液和洗滌液的總體積為500ml，則 沉淀的溶解損失為：
0.0022´0.5=0.0011g > 0.0002g
因此：如何減少沉淀的溶解損失，降低溶解度是沉淀分析中的重要問題。
三. 沉淀的溶解度及其影響因素
（一）沉淀的溶解度（S)
對 MA 型沉淀：
 |
MA的溶解度： S = [MA(水)]+[M+] = [MA(水)] + [A-]= S0 + [M+] = S0 + [A-]
式中： S0——分子溶解度或固有溶解度
因許多沉淀物的固有溶解度 S0 都比較小，所以在計算時一般可 忽略S0 的影響（ S0一般在10-6 ~10-9 mol/L 之間），
所以： S » [M+] = [A-]
根據(jù) MA 在水中的溶解平衡，可推導(dǎo)出難溶化合物的活度積 Kap ：
(7)
已知： 
則： 
(8)
Kap ——活度積常數(shù)；在一定溫度下為一常數(shù) ；
Ksp ——溶度積常數(shù)；隨溶液中離子強度的變化而改變，在一定溫度下、一定溶液中為一常數(shù)。因一般溶液的濃度都比較稀
所以： Kap » Ksp
故： 
(9)
對其它類型MmAn 型沉淀
MmAn ⇌ m Mn+ + n Am- Ksp = [Mn+]m ·[An-]n
則： 
(10)
即： [Mn+] = m·S [An-] = n ·S
Ksp = [Mn+]m ·[An-]n = (m·S )m · (n ·S )n
(11)
(12)
（二）影響沉淀溶解度的因素
1. 同離子效應(yīng)—— S ¯
在進行沉淀時，加入過量沉淀劑以增大構(gòu)晶離子的濃度，從而減小沉淀溶解度的效應(yīng)。
例： Ba2+ + SO42- ⇌ BaSO4 ¯ Ksp = 8.7 ´10-11
25℃時， BaSO4 ¯在純水中的溶解度為：
S BaSO4= 9.3 ´10-6 mol/L = 0.0022 g/L
如加入過量 H2SO4 的并使溶液中 SO42- 總濃度為0.01 mol/L ，此時：
設(shè)沉淀時溶液的總體積為200ml，則 BaSO4的損失量各為：
純 水 中：
0.01mol/LSO42-中：
由同離子效應(yīng)可知：沉淀劑濃度 ® S¯ ,
但過量要適當，否則又會產(chǎn)生大的鹽效應(yīng)和配位效應(yīng)使 S 。
2. 鹽效應(yīng)（S ）
由于強電解質(zhì)存在而引起沉淀的 S 增大的現(xiàn)象。
電解質(zhì) c ® I ® g ¯ ® [M+] 、 [A-] （S ）
（顯然，鹽效應(yīng)與同離子效應(yīng)是相互對立的兩因素：當沉淀劑過量時：開始 同離子效應(yīng)占主導(dǎo)地位過量太多時，鹽效應(yīng) ）
3. 酸效應(yīng)：溶液的酸度對 S 的影響
例： 多元弱酸鹽¯ CaCO3 、 CaC2O4， [H+] ® S
氫氧化物¯ Fe(OH)3、 Al(OH)3， [H+] ® S
4. 配位效應(yīng)（S ）
當溶液中存在有能與沉淀的構(gòu)晶離子形成配合物的配位劑時，則沉淀的溶解度增
大甚至完全溶解的現(xiàn)象。
Ag+ + Cl- ⇌ AgCl ¯ AgCl ¯ + Cl- ⇌ AgCl2-
5. 其它因素
（1）溫度（T）：一般的溶解反應(yīng)為吸熱反應(yīng) T ® S
（2）相似相溶原理
（3）顆粒大小： S (大) < S (小)
（4）沉淀的結(jié)構(gòu)： 亞穩(wěn)態(tài) 穩(wěn)定型
S 大 S 小
四. 沉淀的形成
（一） 沉淀的類型
 |
（二）沉淀的形成過程
1. 生成晶核：
== ==============
2. 晶核長大：
 |
（三）決定沉淀類型的因素
沉淀的類型決定于沉淀物質(zhì)的本性和沉淀的條件。
1. 同一種沉淀在不同條件下生成不同類型沉淀 —— 馮•韋曼公式
(13)
式中：V ——初始沉淀速度
Q ——加入沉淀劑的瞬間構(gòu)晶離子的濃度
例：在沉淀BaSO4時，若 [Ba2+] = [SO42-]，則 Q = [Ba2+]=[SO42-] ¹ S ，
若 [Ba2+] ¹ [SO42-]，則 
—— 沉淀的過飽和度
K——常數(shù)，它與沉淀劑的性質(zhì)、介質(zhì)、溫度等因素有關(guān)
馮•韋曼指出：
® V ® 晶核數(shù)目 ® 沉淀顆粒 ¯
¯ ® V ¯ ® 晶核數(shù)目¯ ® 沉淀顆粒
（由此可知：要獲得大的沉淀顆粒，應(yīng)在適當稀的溶液中進行或設(shè)法增大沉淀的溶解度 S ）
2. 不同沉淀在相同條件下生成不同類型沉淀——哈伯論點
（1）聚集速度：在沉淀形成的過程中，晶核形成后，再逐漸長大成為沉淀顆粒，這些
微粒有聚集為更大聚集體的傾向，這種聚集過程進行的快慢稱為聚集速度。
（2）定向速度：在發(fā)生聚集過程同時，構(gòu)晶離子按一定的晶格排列而形成晶體，這種定向排列的速度稱為定向速度。
（3）哈伯論點
當 V聚 > V定 無定形¯
當 V聚 < V定 晶 形¯
（4）影響 V定 的因素——物質(zhì)的性質(zhì)
極性強 ® V定 ® 晶 形¯ 如 BaSO4 、 CaC2O4
極性弱 ® V定 ¯ ® 凝乳狀¯ 如 AgCl
氫氧化物® V定 更小 ® 膠狀¯ 如 Fe(OH)3 ·X H2O等
（5）影響 V聚 的因素——沉淀的條件
¯ ® V聚 ¯ ® 晶形¯
五. 影響沉淀純度的因素
1. 表面吸附：沉淀表面上離子的不完全等衡引起對雜質(zhì)的吸附現(xiàn)象
吸附規(guī)律：(1)首先 吸附構(gòu)晶離子 或 與構(gòu)晶離子半徑大小相近、電荷相同的離子；
(2)其次 吸附能與構(gòu)晶離子生成溶解度小的化合物的離子易被吸附；
(3)離子的電荷越高，濃度越大，越易被吸附；
(4)表面積 A 越大，吸附量越多。
2. 包藏：由于沉淀長大迅速，吸附在沉淀表面的雜質(zhì)離子來不及離開沉淀的表面而被沉積上的離子所覆蓋，以至雜質(zhì)被包藏在沉淀內(nèi)部的現(xiàn)象。
3. 生成混晶：雜質(zhì)離子與構(gòu)晶離子半徑相近，晶體結(jié)構(gòu)相近，則易生成混晶。
BaSO4 - BaC2O4 BaSO4 - PbSO4 等
4. 后沉淀：在沉淀析出后，另一種本來難以析出沉淀的組分在沉淀表面上慢慢析出的現(xiàn)象。
原因：沉淀表面上[M+] 或 [A-] > 溶液中 [M+] 或 [A-]
六. 沉淀條件的選擇——根據(jù)沉淀類型及純度影響因素
（一）晶形沉淀的條件
1. 在適當稀的溶液中進行
降低 (Q-S)/S ，易得到粗晶形¯ 易洗滌、易過濾、吸附雜質(zhì)量小；（但不宜過稀，否則被沉淀離子的損失量大。）
2. 在不斷攪拌下進行，慢慢加入沉淀劑溶液
防止局部過濃，以免生成大量晶核。
3. 在熱溶液中進行
增大 S ，降低 (Q-S)/S ¯ ，減少雜質(zhì)吸附量，冷卻后過濾。
4. 陳化：讓沉淀和母液在一起放置一段時間
作用：小晶粒溶解，大的長大；亞®穩(wěn)；雜質(zhì)進入溶液。
（二）非晶形沉淀的沉淀條件
此類沉淀一般含水較多，顆粒微小，質(zhì)地疏松，體積龐大，易形成膠體溶液，吸附雜質(zhì)量多，難以過濾和洗滌，選擇條件應(yīng)從：獲得緊密沉淀和防止膠體生成方面考慮。
1. 在比較濃的溶液中進行(加入沉淀劑速度應(yīng)快)；
c ®離子含水量少®顆粒易凝聚®結(jié)構(gòu)緊密®易過濾、洗滌。
2. 在熱溶液中進行；
促進顆粒凝聚，防止膠體生成。
3. 加入適當電解質(zhì)（可揮發(fā)性銨鹽等）；
中和膠體微粒電荷，破壞膠體。
4. 沉淀后立即用熱水稀釋，減少對雜質(zhì)的吸附；
5. 不必沉化，趁熱過濾。
沉淀放置后，易失去水分而聚集緊密，雜質(zhì)吸附難洗去。
（三）均勻沉淀法
通過化學(xué)反應(yīng)是沉淀劑在溶液中均勻、緩慢產(chǎn)生，從而使沉淀在溶液中均勻、
緩慢生成的方法
例：測 Ca2+ 時： 若在中性或堿性溶液中
| 若在酸性溶液中: | |
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七. 分析結(jié)果計算
在沉淀法中，若待測組分與稱量形式不同，必須進行換算，即乘一 “換算因數(shù)”，常用 F 表示：
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式中：a、b 是使分子和分母中所含主體元素的原子個數(shù)相等而需要乘以的系數(shù)
例：被測組分 Fe，稱量形式 Fe2O3
則： 
